《The Information》於數小時前發表報道,中國自行研發的浸潤式深紫外光刻機(DUV)已開始小量生產,2026年預料可製造約5部,2027年約20部。首批設備預計2026年內交付中芯國際(SMIC)、華虹半導體(Hua Hong Semiconductor)及長鑫存儲(CXMT)。過去幾年的相關消息多是原型機、單部測試設備或未有交貨安排的研發進展,今次報道則同時列出產量、交貨時間和三間具名客戶,重點不再只是吹水階段,而是已有生產數量目標和客戶的生產階段。
負責生產的廠商身份未有公開,消息人士以事件敏感為由未有披露名稱。《The Information》稱,項目從多間中國公司抽調DUV研發團隊,其中包括獲中國政府資金支持的上海宇量昇科技。中芯國際自2025年9月起已測試宇量昇的浸潤式設備,交貨前測試並非最近才開始。新系統大部分零件由中國供應商提供,部分關鍵零件仍來自日本,中國供應商延誤亦限制2026年的產量。
今次消息與過往原型機或單部測試設備的分別,在於三間晶片商已有接收設備的時間表,報道也列出2026和2027年的產量目標。浸潤式DUV一次曝光可製造約28納米級線路,反覆曝光可推至7納米,不過工序增加會提高圖案對準誤差,亦可能降低良率。
首批客戶長鑫存儲同日在上海掛牌,股價首日急升466%,投資者在同一日看到中國記憶體廠上市和國產晶片製造設備準備交貨。外國ASML股價一度下挫逾7%,報道亦拖累晶片設備供應鏈相關股份,BE Semiconductor Industries跌約8.5%,Soitec跌5%,Infineon Technologies跌近3%。
中國設備在效能、可靠程度和製造質素方面仍落後ASML,進入大規模生產前可能還要測試多月。ASML財務總監Roger Dassen在7月業績電話會議表示,公司2026年預計付運約130部浸潤式系統,並計劃在2027年把相關產能提高三成,遠多於。短期內,中國設備不足以改寫實際市場,但市場擔心的是中國已經做到出黎,並準備按時間表交貨,日後若產量上升,ASML會承受很大壓力。